Photodiode边缘效应仿真相关的疑问

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Photodiode是一种非常常见的光电器件。在绝大多数的使用情况下，无需考虑器件本身的“边缘效应”
当器件本身结构较小，且有尖端形状时，这种效应会比较显著。

如图为一排4个Photodiode，每个横向尺寸20um，最小处10um，都为V型。
在这些PD的边缘转折处，或者说有转角的地方，会有产生一些信号震荡，导致探测时瞬态特性较差。
想请教下论坛里的前辈们是否有了解过，或仿真过这种特性？有没有具体的理论可以解释？