光电传感芯片Sensor区域的FoV是如何定义的？

11294 · 发表于 2022-6-13 16:48

如题，想请教一下这个FoV应该如何去计算或者定义？

举个栗子，AMS的TMF8701这款芯片，采用了8*8的SPAD阵列做接收，传感器标注的FoV是24°或37°，当然这是由工作距离决定的。
芯片封装的镜头，应该做不到成像一般将光束调制到衍射极限，而是到SPAD阵列尺寸内就可以了。
这种情况下传感器的FoV应该如何去定义或者计算呢？？？

jjgold · 发表于 2022-6-14 16:27

像AMS这种单点TOF产品不属于成像系统，它的FOV是看接收能量的，中心视场能量最大，越往边缘能量越低，FWHM代表半高全宽，就是指接收能量处在最大值一半时候的FOV

11294 · 发表于 2022-6-20 13:49

jjgold 发表于 2022-6-14 16:27
像AMS这种单点TOF产品不属于成像系统，它的FOV是看接收能量的，中心视场能量最大，越往边缘能量越低，FWHM ...

谢谢您的回复
又去查了查AMS的文档，发现他是如此定义的

简单地说就是焦距与靶面尺寸的tan

我一下子明白了许多，谢谢

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