近红外(NIR)隐蔽照明对于移动设备中的面部识别,运动感测和深度感测功能越来越重要。但是,这些通常是不透明的发光二极管芯片的近红外照明源占据了宝贵的空间,并且可能在原本全屏的彩色显示器上导致难看的黑色凹痕。
透明钙钛矿透明的发光二极管覆盖在智能手表显示屏上,打开时显示高光学透明度,中性色和明亮的透明的近红外电致发光。
新加坡国立大学化学系和新加坡太阳能研究所(SERIS)的Tan Zhi Kuang教授领导的研究团队开发了高效的高透明近红外发光二极管,其可见光光谱平均透射率超过55%。他们的设备采用了一种新型的钙钛矿基半导体超薄层,该层能够发出强烈而有效的光。这种钙钛矿半导体还得益于低成本的处理以及与各种器件衬底的多功能集成。通过用包含超薄金属和导电氧化物层的新电极进一步替代传统的不透明金属电极,该团队能够实现所需的高光学透明性,低电极电阻和有效电荷注入的最佳平衡,这使得近红外发光二极管能高效发光。
谢晨超先生,博士该研究小组的学生说:“我们发现,在我们的透明电极中采用薄铝夹层可以大大减少在电极沉积过程中对设备的等离子体损害,并使我们的设备高效运行。”
谭教授说:“近红外技术已在可穿戴,移动,游戏和增强现实小工具领域取得重大进展,并已看到从安全性到健康跟踪和3D传感的各种用途。我们相信,我们的透明近红外发光二极管可以应用在小型可穿戴设备中并实现一系列令人振奋的新高级功能,而这些功能以前是传统的III-V半导体发光二极管芯片无法实现的,例如,我们也许有一天可以将这种技术应用于智能手表中以进行面部识别,或者将其用于高安全性的非接触式支付。”
作为概念证明,该团队展示了一个透明发光二极管,该发光二极管覆盖在智能手表显示屏上,可提供强烈的近红外照明。 |
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